三星将采用SK海力士青睐的芯片制造技术

五名知情人士表示，三星电子(Samsung Electronics)计划使用竞争对手SK海力士(SK Hynix)倡导的一项芯片制造技术。这家全球顶级内存芯片制造商正努力在生产用于人工智能的高端芯片的竞争中迎头赶上。

随着生成式人工智能的日益普及，对高带宽存储器(HBM)芯片的需求激增。但与同行SK海力士(SK Hynix)和美光科技(Micron Technology)不同，三星引人注目的是，它没有与人工智能芯片领导者英伟达(Nvidia)达成任何供应最新HBM芯片的交易。

分析人士和业内观察人士认为，三星电子落后的原因之一是，它决定坚持使用会导致一些生产问题的非导电薄膜(NCF)芯片制造技术，而海力士则转向大规模回流模压下填充(mrm – muf)方法来解决NCF的弱点。

不过，据三名直接知情人士透露，三星最近已经下达了用于MUF技术的芯片制造设备的采购订单。

其中一名消息人士称:“三星必须采取措施提高其HBM(生产)产量。对三星来说，采用MUF技术有点让人不敢骄傲，因为它最终采用的是SK海力士最初使用的技术。”

三星表示其NCF技术是HBM产品的最佳解决方案，将用于其新的HBM3E芯片。我们正在按计划开展我们的HBM3E产品业务。

文章发表后，三星发表了一份声明，称有关三星将把MR-MUF应用于其HBM生产的传言是不真实的。

HBM3和HBM3E是最新版本的高带宽存储芯片，与核心微处理器芯片捆绑在一起，可以帮助处理生成人工智能中的大量数据。

据几位分析师称，三星的HBM3芯片生产收益率约为10-20%，落后于SK海力士(SK Hynix)，后者的HBM3生产收益率约为60-70%。

据一位消息人士透露，三星已经在与包括日本Nagase在内的材料制造商就采购MUF材料进行谈判。但这位知情人士补充说，使用MUF的高端芯片的大规模生产最早可能要到明年才能准备好，因为三星需要进行更多的测试。

上述三位消息人士还表示，三星计划在其最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF技术。

英伟达(Nvidia) 和Nagase拒绝发表评论。

三星使用MUF的任何举动都将凸显其在人工智能芯片竞争中面临的越来越大的压力。根据研究公司TrendForce的数据，在人工智能相关需求的推动下，HBM芯片市场预计今年将增长一倍以上，达到近90亿美元。

周三，SK海力士股价下跌2%，而三星股价上涨1%，超过了大盘0.4%的涨幅。